ライター：mpcsp079さん（最終更新日時:2016/4/2）投稿日：2014/2/12
Φｆｐ＝（ｋＴ／ｑ）＊Ｉｎ（ＮＡ／ｎｉ）
Φｆｐ＝ー（ｋＴ／ｑ）＊Ｉｎ（ＮＤ／ｎｉ）
ＮＤ：ドナー濃度
ＮＡ：アクセプタ濃度
ｋ：ボルツマン定数
Ｔ：絶対温度
ｑ：電子電荷
Ｉｎ：自然対数
ｎｉ：真性キャリア濃度
ΦＴ（ポテンシャル全変動）＝Φｆｐ＋|Φｆｎ|
Φｂ＝ΦＴ
ＮＤ＊ｘｎ＝ＮＡ＊ｘｐ
ｘｎ：ｎ領域の空乏層幅
ｘｐ：ｐ領域の空乏層幅
最大電界Ｅｎａｘ＝（ｑ＊ＮＤ＊ｘｎ）／（Ｋｓ＊ε０）＝（ｑ＊ＮＡ＊ｘｐ）／（Ｋｓ＊ε０）
ε０：真空の誘電率
Ｋｓ：比誘電率
ΦＴ＝０．５＊Ｅｍａｘ＊Ｗ
空乏層幅Ｗ＝ｘｎ＋ｘｐ
＝√（（２Ｋｓ＊ε０／ｑ）＊（（ＮＡ＋ＮＤ）／（ＮＡ＊ＮＤ））＊ΦＴ）
参考
