ライター:mpcsp079さん(最終更新日時:2015/11/15)投稿日:2013/1/25
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ドナー準位の近似計算をしてみました
■孤立水素原子のエネルギー準位{ボーアモデル)
E=-mq^4/(8ε0^2*h^2*n^2)=-13.6/n^2(eV)
m: 自由電子の質量 0.91095*10^-30 (kg)
q: 素電荷 1.60218*10^-19 (C)
ε0: 真空の誘電率 8.85418*10^-12 (F/m)
h: プランク定数 6.62617*10^-34 (Js)
n: 主量子数
■検算 n=1 で
分子指数 :-106
分母指数 :-92
結果: -14
数字だけ
2.16*10^-4
つまり、E=2.16*10^-18(J)
2.16*10^-18/(1.6*10^-19)=13.5 (eV)
合ってる(^^
■
> Si結晶の電子の有効質量をmn=0.32m、Si結晶中の比誘電率を12とする
ED=E*mn/(m*εss^2)=0.03(eV)
となる。この値は、電子をドナー原子から自由にするためのエネルギーであるから、
伝導体の下とドナー準位の差としてよいと思います。
答は0.03eVーーーーーーーーー(答)です