ライター：mpcsp079さん（最終更新日時:2016/7/8）投稿日：2013/12/21
ゲート電圧をかけなくてもドレイン電流が流れてしまう現象「パンチスルー」についての１つの考えで、ＮーＭＯＳで考える
図１ Ｐ基板とＮドレインのバンド図
図１にＰ型基板とＮ型ドレインの接合部分のバンド図を示す。Ｎドレインの不純物ドープ量が大きいので境界部分はドレインの近くにある。
図２ ドレインに正の電圧かけたとき
図２にドレインに電圧をかけたときのバンド図を示す。Ｐ型基板中にＮ型の部分（反転層）が出現しているのがわかる。この部分によって、ゲート電圧をかけなくても、ドレイン、ソース間に電流が流れてしまう。
つまり、ドレイン電圧を上げるとＰ基板中の空乏層が広がりドレインとソースを結ぶ。空乏層中には反転層があり、それはＮ型なのでここを電流が流れる。
空乏層といっても、徐々に変化していくので、そこに反転層もできる。
空乏層の中でのキャリアの量は、「擬フェルミ準位の仮定」により、図２においてドレイン部分では、ＥｉよりＥｆが大きい部分でＮ型、基盤部分では、ＥｉよりＥｆが小さい部分でＰ型とする。すると、図２のＰ基盤部分にＮ型領域が出現する。
詳しくは、下の本を参照。
