ライター：mpcsp079さん（最終更新日時:2016/4/18）投稿日：2013/2/8
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トランジスタ、とくにバイポーラトランジスタ（ＢＪＴ）についての話です。このＢＪＴについては、多くの間違った解説が成されています。まずこのＢＪＴの原理です。といっても、ほんとうの原理かどうかわかりません。ただ、いまのところこれより有力な理論はなく、多くの「誠実な者たち」はこれを信じています。
図１ エミッタコモン回路
図１は「エミッタ接地」とか、「エミッタコモン」言われている回路です。これで考えていきましょう。「ＢＪＴの理論」はアンドリュー・グローブの本に詳細に解説されています。この人は元、インテル社の会長であり、ＢＪＴの生みの親であるショックレイの弟子とも言える人ですね。
図２ ＢＪＴの優れた歴史的な解説書
この本によれば、ベースーエミッタ間電圧（Ｖｂｅ）により、ＮＰＮ型のＢＪＴなら、電子がエミッタからベースに注入される。それが１：βの割合でベースとコレクタに行く、ということです。だからこの電子（ＮＰＮ型におけるキャリア）を放出する（エミッション）側をエミッタ（本来はエミッター）と言い、それを受け取る側（コレクションする）をコレクタ（本来コレクター）と言いますね。 これを電流で見れば、ベース端子からベースに注入されたＩｂとコレクタからベースに流れ込んだＩｃがエミッタに流れ込む、ということになりますね。
このメカニズムから見ても、Ｉｂが増幅されているわけではない。およそ、増幅と解されるような動作はありませんね。これを「増幅」ということがＢＪＴの本当の理解をいかにさまたげるかです。２つの電流路があり、その電流はＶｂｅにより流される。そ２つの電流比がβである。ここに、「増幅」と言わなければならないものはありません。
ＢＪＴの増幅のメカニズムはβに関係ありません。
非常に難しい話から、最終的に得られた結果はおおざっぱには、
Ｉｃ＝Ｉ０＊ｅｘｐ（Ｖｂｅ／Ｖｔ） －－－（１）
Ｉｂ＝Ｉｃ／β
Ｉ０：絶対温度Ｔにも大きく依存する
Ｖｔ：ｋ＊Ｔ／ｑ
ｋ：ボルツマン定数
ｑ：電子の電荷
でした。Ｉｃ，Ｉｂの原因はＶｂｅです。Ｖｂｅの結果としてＩｃ，Ｉｂが流れます。ここが肝心なところです。Ｉｂが増幅されてＩｃとなるのではないのですね。どちらもＶｂｅによって流れます。どちらもＶｂｅの対等な結果なのですね。ＩｂはＩｃの原因ではありません。βは増幅率ではなく、単なる比であります。どこかのアホが「増幅率」などと言ってしまったために、これが広がってしまい、もう戻らなくなってしまったのですね。
図１で考えます。
ｖｏｕｔ＝Ｉｃ＊Ｒ１
ｖｉｎ＝Ｖｂｅ、Ｉｃは（１）式ですから、Ｒ１が大きければ非線形ながらｖｉｎは増幅されｖｏｕｔになることがわかります。ここにβが介入していないことが肝心です。βが１以下でもこのことは成り立ちますね。βが小さいとＩｂが大きくなってしまうだけなのです。βと信号増幅は何の関係もないことがわかります。
ここらのことが、さっぱり理解されていません。「劣等感」を「コンプレックス」と言っている日本人は多い。しかし、「コンプレックス」は「複合」みたいな意味であります。こんな間違いを平気で続けている国民です。一度広がればもう二度ともとには戻りません。「瓶から出してしまったみみずは、もう二度ともとには戻せない」ということですね。
ーーーーーアドバイスーーーーーーーーー
＞真空管と対比させ増幅（amplifier）って言葉を使ったのは
＞ほかならぬショックレイ自身なんだよ。 日本人はそれを訳しただけ。
＞ ショックレイはアホだったのだね＞＜。
ですがまったく意味不明ですな。
