よい資料があったので紹介する
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http://www.ritsumei.ac.jp/se/re/fujinolab/semicon/semicon5.pdf
http://www.ritsumei.ac.jp/se/re/fujinolab/semicon/semicon6.pdf
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回答にこれを使った参考質問
http://detail.chiebukuro.yahoo.co.jp/qa/question_detail/q11160170821
SiにAsをドープして電子濃度2×10^16cm^−3のn型Siをつくるためには、1kgのSi中にAsをどれくらい加えたらよいか？という問題で、答えはおよそ1mgなのですが、求め方がよく分からないので教えてください。
http://detail.chiebukuro.yahoo.co.jp/qa/question_detail/q14160170584
問6
キャリア濃度2×10^16cm^−3のn型Siについて、室温におけるフェルミ準位の位置を求めて下さい。
答えは画像のように0.15evになるそうなのですが、計算式がよくわからないので教えてください。
http://detail.chiebukuro.yahoo.co.jp/qa/question_detail/q13160176698
pn接合の電子密度と正孔密度の求め方について質問です。
画像の①式と②式はどのようにしたら導けるのでしょうか？
教科書などで調べたのですが、このような式の形では与えられていませんでした。
そもそもこの式で言うところの電子密度とは、p型とn型の両方に存在する電子を考えているのでしょうか？
よろしくお願いします。
