ｎＭＯＳＦＥＴに関する理論式を集めた
ＭＯＳFETの理論式集である
ＭＯＳＦＥＴの基本式はＺＭＯＳ１である。
εｏｘ ：ゲート絶縁膜の誘電率
εｓ ： チャネルの誘電率
ＮＡ ： チャネル（Ｐ型）の不純物濃度
ΦＢ ： ビルトインポテンシャル
ｑ ： 電子電荷
Ｃｏ ： ゲートーチャネル間の静電容量
直線領域（ＶＤ＜＜（ＶＧ－ＶＴ））ではＺＭＯＳ２式になる。
ＶＴはＺＭＯＳ３式になる。
ＶＤｓａｔは直線領域から飽和領域に変化するＶＤの値である。
飽和領域のＩＤを求める。ＺＭＯＳ４式をＺＭＯＳ１式にいれる。
