古典ＮＦトランジスタアンプの前向きゲインとフィードバック抵抗の関係
図１
トランジスタ回路で、帰還部分が図１のようになる場合、トランジスタのπ型等価回路で、ベースーエミッタ間抵抗をＲπとすると、小信号等価回路では、
帰還率Ｋ＝ＲＦ２／（ＲＦ１＋ＲＦ２）
帰還等価抵抗ＲＴ＝ＲＦ１／／ＲＦ２
β＝ｉｃ／ｉｂ
とすると、Ｑ１のコレクタ電流ｉｃは、
ｉｃ＝ｇｍ＊（ｖｉーｖｏ＊Ｋ）＊Ｒπ／（Ｒπ＋（β＋１）＊ＲＴ）
ですから、
参考
http://note.chiebukuro.yahoo.co.jp/detail/n224280
ｇｍ＊Ｒπ／（Ｒπ＋（β＋１）＊ＲＴ）
が１段目の前向き相互コンダクタンスとなります。常温で
ｇｍ＝３８＊Ｑ１のコレクタバイアス電流
Ｒπ＝β／（３８＊Ｑ１のコレクタバイアス電流）
です。
Ｒπ＞＞（β＋１）＊ＲＴ
ですと、前向き相互コンダクタンスはＲＴに関係なくなりますが、
Ｒπ＜（β＋１）＊ＲＴ
になってしまうと前向き相互コンダクタンスはＲＴが大きくなるほど小さくなってしまいます。
つまり、ＲＴすなわち、ＲＦ１，ＲＦ２をあまり大きくすると、Ｑ１の前向き相互コンダクタンスが小さくなり、ループゲインが小さくなってしまい、歪が大きくなると思います。
あまり小さいと、ｖｏの負荷になりすぎ、大きいとループゲイン減少です。Ｒπ＞β＊ＲＴくらいがいいのかと思います。
■真空管の場合
ＩＮ抵抗が高いので、上の問題はないと思います。
■現代トランジスタアンプ
初段が差動回路で攻勢されている場合、ＦＥＴならＩＮ抵抗が高いので上の問題はないと思います。しかし、バイポーラトランジスタ（ＢＪＴ）の場合、ＩＮ差動抵抗Ｒｄはおおきくないので、上の問題が出てきます。
http://note.chiebukuro.yahoo.co.jp/detail/n250254
非反転増幅回路で考えると、Ａｖをアンプげいんとすると、正味の前向きゲインＡｖｒは、
Ａｖｒ＝Ａｖ＊（ｖｉーＫ＊ｖｏ）＊Ｒｄ／（Ｒｄ＋ＲＴ）
となり、Ｒｄ＜ＲＴとなると小さくなっていきます。
ＲＴ＞Ｒｄであればあるほど、ループゲインが小さくなり、性能が下がってきます。
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