pn接合に逆バイアスをかけた際の生成電流は空乏層内での生成再結合中心を... - Yahoo!知恵袋
■質問
pn接合に逆バイアスをかけた際の生成電流は空乏層内での生成再結合中心を介した電子正孔対の生成に依るものと認識しています。
一般的に生成電流は、キャリアが電子と正孔2つあるにも関わらず、拡散電流のように電子電流と正孔電流を考慮せず、生成割合に素電荷をかけて空乏層幅の範囲で積分をするのみで求められています。
これはなぜなのでしょうか。
SMジーの本です
画質悪くてすみません(^_^;)
言葉足らずですみません。
持っていらっしゃるのであれば、
99ページの式(58)のことです。
■回答
空乏領域で生成されたキャリアによる電流は
Jgen=∫(0->W)qGdx≓qGW=qniW/τgーー(58)
>一般的に生成電流は、キャリアが電子と正孔2つあるにも関わらず、拡散電流のように電子電流と正孔電流を考慮せず、生成割合に素電荷をかけて空乏層幅の範囲で積分をするのみで求められています。
これはなぜなのでしょうか。
ーー>
下図です。
電流はa+cではありません。
境界電流はa(=b)です。
端子電流はc(=d)です。
a=c
b=d
ですから、いいのでは?
aとbは端子から流れてきたのではなく、空乏層で発生したものです。
そして、
a,bは接合面で消滅し、c,dは空乏層から去ってしまい消滅、
そしてまた対が発生・・・
この繰り返しです。
■質問者
接合面で消滅するので1対のみ考慮すればいいのですね。
言われてみれば結構単純なことでした。
ご親切にありがとうございましたm(_ _)m