ＬＭ３８６の構造を調べた。差動ＩＮ端子とを持ち、それとはべつのＮＦＢ部をもつおもしろい構造である。ｖ１、ｖ１、ｖｏの関係を調べた。
■ＬＭ３８６の解析
http://www.tij.co.jp/jp/lit/ds/symlink/lm386.pdf
図１ 回路図
図２は回路図である。データーシートの図はＩＮ部分がダーリントンになっているが、ＬＭ３２４と同じで正確には図１が正しいと思われる。
図２ 等価回路
エミッタ抵抗、１／ｇｍ１、１／ｇｍ２は無視する。
ｉ１＝（ｖ２－ｖ１）／ｒーｖ１／（２Ｒ）
ｉ２＝－ｉ１＋（ｖｏーｖ２）／Ｒ
さらに、推測で、
ｖｏ＝Ａ（ｉ１－ｉ２）
＝Ａ（（ｖ２－ｖ１）／ｒーｖ１／（２Ｒ）＋ｉ１ー（ｖｏーｖ２）／Ｒ）
＝Ａ（２（（ｖ２－ｖ１）／ｒーｖ１／（２Ｒ））ー（ｖｏーｖ２）／Ｒ）
＝Ａ（２（ｖ２－ｖ１）／ｒー２ｖ１／（２Ｒ）ー（ｖｏーｖ２）／Ｒ）
＝Ａ（２（ｖ２－ｖ１）／ｒーｖ１／Ｒー（ｖｏーｖ２）／Ｒ）
＝Ａ（２（ｖ２－ｖ１）／ｒ＋（ｖ２－ｖ１）／Ｒーｖｏ／Ｒ）
＝Ａ（（ｖ２－ｖ１）（２／ｒ＋１／Ｒ）ーｖｏ／Ｒ）
ｖｏ（１＋Ａ／Ｒ）＝Ａ（（ｖ２－ｖ１）（２／ｒ＋１／Ｒ）
ｖｏ＝Ａ（（ｖ２－ｖ１）（２／ｒ＋１／Ｒ）／（１＋Ａ／Ｒ）
Ａ－－＞∞では、閉ループ特性であり、
ｖｏ＝（（ｖ２－ｖ１）（２Ｒ／ｒ＋１）
Ｂ＝Ａ（２／ｒ＋１／Ｒ）とすと、
ｖｏ＝Ｂ（ｖ２－ｖ１）／（１＋Ｂ／（２Ｒ／ｒ＋１））
これから、
Ｂ＝Ａ（２／ｒ＋１／Ｒ）：前向きゲイン
１／（２Ｒ／ｒ＋１））：帰還率
であることがわかる。電流帰還形と同じく、帰還率を下げると、前向きゲインが上がるので、ループゲイン変化による周波数特性の変化が小さい。
